下面是范文網(wǎng)小編收集的計(jì)算機(jī)術(shù)語(yǔ)名詞解釋第三講：內(nèi)存術(shù)語(yǔ)解釋4篇(內(nèi)存的名詞解釋)，供大家參閱。

計(jì)算機(jī)術(shù)語(yǔ)名詞解釋第三講：內(nèi)存術(shù)語(yǔ)解釋1

　　內(nèi)存雙通道這個(gè)術(shù)語(yǔ)怎么理解?市面上又有哪些支持雙通道的芯片組?本文將為你一一解答.

　　支持雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)的臺(tái)式機(jī)芯片組，英特爾平臺(tái)方面有英特爾的865P/865G/865GV/865PE/875P以及之后的915/925系列；VIA的PT880，ATI的Radeon?9100?IGP系列，SIS的SIIS?655，SIS?655FX和SIS?655TX；AMD平臺(tái)方面則有VIA的KT880，NVIDIA的nForce2?Ultra?400，nForce2?IGP，nForce2?SPP及其以后的芯片，

　　雙通道內(nèi)存技術(shù)是解決CPU總線帶寬與內(nèi)存帶寬的矛盾的低價(jià)、高性能的方案?，F(xiàn)在CPU的FSB（前端總線頻率）越來(lái)越高，英特爾?Pentium?4比AMD?Athlon?XP對(duì)內(nèi)存帶寬具有高得多的需求。英特爾?Pentium?4處理器與北橋芯片的數(shù)據(jù)傳輸采用QDR（Quad?Data?Rate，四次數(shù)據(jù)傳輸）技術(shù)，其FSB是外頻的4倍。英特爾?Pentium?4的FSB分別是400/533/800MHz，總線帶寬分別是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR?266/DDR?333/DDR?400所能提供的內(nèi)存帶寬分別是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在單通道內(nèi)存模式下，DDR內(nèi)存無(wú)法提供CPU所需要的數(shù)據(jù)帶寬從而成為系統(tǒng)的性能瓶頸。而在雙通道內(nèi)存模式下，雙通道DDR?266/DDR?333/DDR?400所能提供的內(nèi)存帶寬分別是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在這里可以看到，雙通道DDR?400內(nèi)存剛好可以滿足800MHz?FSB?Pentium?4處理器的帶寬需求。而對(duì)AMD?Athlon?XP平臺(tái)而言，其處理器與北橋芯片的數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)采用DDR（Double?Data?Rate，雙倍數(shù)據(jù)傳輸）技術(shù)，F(xiàn)SB是外頻的2倍，其對(duì)內(nèi)存帶寬的需求遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于英特爾?Pentium?4平臺(tái)，其FSB分別為266/333/400MHz，總線帶寬分別是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用單通道的DDR?266/DDR?333/DDR?400就能滿足其帶寬需求，所以在AMD?K7平臺(tái)上使用雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)，可說是收效不多，性能提高并不如英特爾平臺(tái)那樣明顯，對(duì)性能影響最明顯的還是采用集成顯示芯片的整合型主板，

　　雙通道內(nèi)存技術(shù)其實(shí)是一種內(nèi)存控制和管理技術(shù)，它依賴于芯片組的內(nèi)存控制器發(fā)生作用，在理論上能夠使兩條同等規(guī)格內(nèi)存所提供的帶寬增長(zhǎng)一倍。它并不是什么新技術(shù)，早就被應(yīng)用于服務(wù)器和工作站系統(tǒng)中了，只是為了解決臺(tái)式機(jī)日益窘迫的內(nèi)存帶寬瓶頸問題它才走到了臺(tái)式機(jī)主板技術(shù)的前臺(tái)。在幾年前，英特爾公司曾經(jīng)推出了支持雙通道內(nèi)存?zhèn)鬏敿夹g(shù)的i820芯片組，它與RDRAM內(nèi)存構(gòu)成了一對(duì)黃金搭檔，所發(fā)揮出來(lái)的卓絕性能使其一時(shí)成為市場(chǎng)的最大亮點(diǎn)，但生產(chǎn)成本過高的缺陷卻造成了叫好不叫座的情況，最后被市場(chǎng)所淘汰。由于英特爾已經(jīng)放棄了對(duì)RDRAM的支持，所以目前主流芯片組的雙通道內(nèi)存技術(shù)均是指雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)，主流雙通道內(nèi)存平臺(tái)英特爾方面是英特爾?865/875系列，而AMD方面則是NVIDIA?Nforce2系列。

　　NVIDIA推出的nForce芯片組是第一個(gè)把DDR內(nèi)存接口擴(kuò)展為128-bit的芯片組，隨后英特爾在它的E7500服務(wù)器主板芯片組上也使用了這種雙通道DDR內(nèi)存技術(shù)，SiS和VIA也紛紛響應(yīng)，積極研發(fā)這項(xiàng)可使DDR內(nèi)存帶寬成倍增長(zhǎng)的技術(shù)。但是，由于種種原因，要實(shí)現(xiàn)這種雙通道DDR（128?bit的并行內(nèi)存接口）傳輸對(duì)于眾多芯片組廠商來(lái)說絕非易事。DDR?SDRAM內(nèi)存和RDRAM內(nèi)存完全不同，后者有著高延時(shí)的特性并且為串行傳輸方式，這些特性決定了設(shè)計(jì)一款支持雙通道RDRAM內(nèi)存芯片組的難度和成本都不算太高。但DDR?SDRAM內(nèi)存卻有著自身局限性，它本身是低延時(shí)特性的，采用的是并行傳輸模式，還有最重要的一點(diǎn)：當(dāng)DDR?SDRAM工作頻率高于400MHz時(shí)，其信號(hào)波形往往會(huì)出現(xiàn)失真問題，這些都為設(shè)計(jì)一款支持雙通道DDR內(nèi)存系統(tǒng)的芯片組帶來(lái)不小的難度，芯片組的制造成本也會(huì)相應(yīng)地提高，這些因素都制約著這項(xiàng)內(nèi)存控制技術(shù)的發(fā)展。

　　普通的單通道內(nèi)存系統(tǒng)具有一個(gè)64位的內(nèi)存控制器，而雙通道內(nèi)存系統(tǒng)則有2個(gè)64位的內(nèi)存控制器，在雙通道模式下具有128bit的內(nèi)存位寬，從而在理論上把內(nèi)存帶寬提高一倍。雖然雙64位內(nèi)存體系所提供的帶寬等同于一個(gè)128位內(nèi)存體系所提供的帶寬，但是二者所達(dá)到效果卻是不同的。雙通道體系包含了兩個(gè)獨(dú)立的、具備互補(bǔ)性的智能內(nèi)存控制器，理論上來(lái)說，兩個(gè)內(nèi)存控制器都能夠在彼此間零延遲的情況下同時(shí)運(yùn)作。比如說兩個(gè)內(nèi)存控制器，一個(gè)為A、另一個(gè)為B。當(dāng)控制器B準(zhǔn)備進(jìn)行下一次存取內(nèi)存的時(shí)候，控制器A就在讀/寫主內(nèi)存，反之亦然。兩個(gè)內(nèi)存控制器的這種互補(bǔ)“天性”可以讓等待時(shí)間縮減50%。雙通道DDR的兩個(gè)內(nèi)存控制器在功能上是完全一樣的，并且兩個(gè)控制器的時(shí)序參數(shù)都是可以單獨(dú)編程設(shè)定的。這樣的靈活性可以讓用戶使用二條不同構(gòu)造、容量、速度的DIMM內(nèi)存條，此時(shí)雙通道DDR簡(jiǎn)單地調(diào)整到最低的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)來(lái)實(shí)現(xiàn)128bit帶寬，允許不同密度/等待時(shí)間特性的DIMM內(nèi)存條可以可靠地共同運(yùn)作。

計(jì)算機(jī)術(shù)語(yǔ)名詞解釋第三講：內(nèi)存術(shù)語(yǔ)解釋2

　　四、光驅(qū)術(shù)語(yǔ)解釋

　　CLV技術(shù)：（Constant-Linear-Velocity）恒定線速度讀取方式.在低于12倍速de光驅(qū)中使用de技術(shù).它是為了保持?jǐn)?shù)據(jù)傳輸率不變，而隨時(shí)改變旋轉(zhuǎn)光盤de速度.讀取內(nèi)沿?cái)?shù)據(jù)de旋轉(zhuǎn)速度比外部要快許多.

　　CAV技術(shù)：（Constant-Angular-Velocity）恒定角速度讀取方式.它是用同樣de速度來(lái)讀取光盤上de數(shù)據(jù).但光盤上de內(nèi)沿?cái)?shù)據(jù)比外沿?cái)?shù)據(jù)傳輸速度要低，越往外越能體現(xiàn)光驅(qū)de速度，倍速指de是最高數(shù)據(jù)傳輸率.

　　PCAV技術(shù)：（Partial-CAV）區(qū)域恒定角速度讀取方式.是融合了CLV和CAVde一種新技術(shù)，它是在讀取外沿?cái)?shù)據(jù)采用CAV技術(shù)，在讀取內(nèi)沿?cái)?shù)據(jù)采用CAV技術(shù)，提高整體數(shù)據(jù)傳輸de速度.

　　UDMA模式：（Ultra-DMA/33），由Intdl和Quantum制定de一種數(shù)據(jù)傳輸方式，該方式I/O系統(tǒng)de突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)33MB/s，還可以降低I/O系統(tǒng)對(duì)CPU資源de占用率.現(xiàn)在又出現(xiàn)了UDMA/66，速度多出兩倍.

　　PIOM模式：（PIO-Mode）以前普遍采用de數(shù)據(jù)傳輸模式，每個(gè)操作都要經(jīng)過CPU才可完成，占用CPUde大量資源.

　　SCIC接口：（Small-Computer-Sysem-Interface）是一種新型de外部接口，可驅(qū)動(dòng)多個(gè)外部設(shè)備；數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)40MB，以后將成為外部接口de標(biāo)準(zhǔn)，價(jià)格昂貴.但占用CPU資源少，工作穩(wěn)定.

　　IDE接口：（Integrated-Drive-Electronics）是現(xiàn)在普遍使用de外部接口，主要接硬盤和光驅(qū).采用16位數(shù)據(jù)并行傳送方式，體積小，數(shù)據(jù)傳輸快.一個(gè)IDE接口只能接兩個(gè)外部設(shè)備.

　　倍速： 指de是光驅(qū)數(shù)據(jù)傳輸率，國(guó)際電子工業(yè)聯(lián)合會(huì)把150KB/sde數(shù)據(jù)傳輸率定為單倍速光驅(qū).300KB/sde數(shù)據(jù)傳輸率也就是雙倍速.依次計(jì)算得出.

　　數(shù)據(jù)傳輸率：（data-transfer-rate）是指光驅(qū)每秒中在光盤上可讀取多少千字節(jié)（kilobytes）de資料量，直接決定了光驅(qū)運(yùn)行速度.單倍速光驅(qū)de數(shù)據(jù)傳輸率是150KB/s.

　　平均讀取時(shí)間：（Average-Seek-Time）是指激光頭移動(dòng)定位到指定de預(yù)讀取數(shù)據(jù)（這時(shí)間為rotation-latency）后，開始讀取數(shù)據(jù)，之后到將數(shù)據(jù)傳輸至電路上所需de時(shí)間.它也是光驅(qū)速度de一重要指標(biāo).

　　緩存容量：它提供一個(gè)數(shù)據(jù)緩沖，先將讀出de數(shù)據(jù)暫存起來(lái)，然后進(jìn)行一次性傳送.解決與其它設(shè)備de速度匹配差距.

　　激光頭：它由中心往外移動(dòng)在Table-of-Contents區(qū)域，通過發(fā)射激光來(lái)尋找光盤上de指定位置，感應(yīng)電阻接受到反射出de信號(hào)輸出成電子數(shù)據(jù)

　　CD：（Compact-Disc）光盤.CD是由liad-in（資料開始記錄de位置）；而后是Table-of-Contents區(qū)域，由內(nèi)及外記錄資料；在記錄之后加上一個(gè)lead-outde資料軌結(jié)束記錄de標(biāo)記.在CD光盤，模擬數(shù)據(jù)通過大型刻錄機(jī)在CD上面刻出許多連肉眼都看不見de小坑.

　　CD-DA：（CD-Audio）用來(lái)儲(chǔ)存數(shù)位音效de光蝶片.1982年SONY、Philips所共同制定紅皮書標(biāo)準(zhǔn)，以音軌方式儲(chǔ)存聲音資料.CD-ROM都兼容此規(guī)格音樂片de能力.

　　CD-G：（Compact-Disc-Graphics）CD-DA基礎(chǔ)上加入圖形成為另一格式，但未能推廣.是對(duì)多媒體電腦de一次嘗試.

　　CD-ROM：（Compact-Disc-Read-Only-Memory）只讀光盤機(jī).1986年， SONY、Philips一起制定de黃皮書標(biāo)準(zhǔn)，定義檔案資料格式.定義了用于電腦數(shù)據(jù)存儲(chǔ)deMODE1和用于壓縮視頻圖象存儲(chǔ)deMODE2兩類型，使CD成為通用de儲(chǔ)存介質(zhì).并加上偵錯(cuò)碼及更正碼等位元，以確保電腦資料能夠完整讀取無(wú)誤.

　　CD-PLUS：1994年，Microsoft公布了新de增強(qiáng)deCDde標(biāo)準(zhǔn)，又稱為CD-Elure.它是將CD-Audio音效放在CDde第一軌，而后放資料檔案，如此一來(lái)CD只會(huì)讀到前面de音軌，不會(huì)讀到資料軌，達(dá)到電腦與音響兩用de好處.

　　CD-ROM XA：（CD-ROM-eXtended-Architecture）1989年,SONY、Philips、Micuosoft對(duì)CD-ROM標(biāo)準(zhǔn)擴(kuò)充形成de白皮書標(biāo)準(zhǔn).又分為FORM1、FORM2兩種和一種增強(qiáng)型CD標(biāo)準(zhǔn)CD+.

　　VCD：（Video-CD）激光視盤.SONY、Philips、JVC、Matsu**a等共同制定，屬白皮書標(biāo)準(zhǔn).是指全動(dòng)態(tài)、全屏播放de激光影視光盤.

　　CD-I：（Compact-Disc-Interactive）年，是Philips、SONY共同制定de綠皮書標(biāo)準(zhǔn).是互動(dòng)式光盤系統(tǒng).1992年實(shí)現(xiàn)全動(dòng)態(tài)視頻圖像播放

　　Photo-CD: 1989年，KODAK公司推出相片光盤de橘皮書標(biāo)準(zhǔn)，可存100張具有五種格式de高分辨率照片.可加上相應(yīng)de解說詞和背景音樂或插曲，成為有聲電子圖片集.

　　CD-R：（Compact-Disc-Recordable）1990年，Philips發(fā)表多段式一次性寫入光盤數(shù)據(jù)格式.屬于橘皮書標(biāo)準(zhǔn).在光盤上加一層可一次性記錄de染色層，可通進(jìn)行刻錄.

　　CD-RW：在光盤上加一層可改寫de染色層，通過激光可在光盤上反復(fù)多次寫入數(shù)據(jù)（計(jì)算機(jī)基礎(chǔ)知識(shí)，電腦知識(shí)入門學(xué)習(xí)，請(qǐng)到電腦知識(shí)網(wǎng)）.

　　SDCD：（Super-Density-CD）是東芝(TOSHIBA)、日立(Hitachi)、先鋒、松下(Panasonic)、JVC、湯姆森 (Thomson)、三菱、Timewamer等制訂一種超密度光盤規(guī)范.雙面提供5GBde儲(chǔ)存量，數(shù)據(jù)壓縮比不高

　　MMCD：（Multi-Mdeia-CD）是由SONY、Philips等制定de多媒體光盤，單面提供3.7GB儲(chǔ)存量，數(shù)據(jù)壓縮比較高.

　　HD-CD：（High-Density-CD）高密度光盤.容量大.單面容量4.7GB，雙面容量高達(dá)9.4GB，有de達(dá)到7GB.HD-CD光盤采用MPEG-2標(biāo)準(zhǔn).

　　MPEG-2： 1994年，ISO/IEC組織制定de運(yùn)動(dòng)圖像及其聲音編碼標(biāo)準(zhǔn).針對(duì)廣播級(jí)de圖像和立體聲信號(hào)de壓縮和解壓縮.

　　DVD：（Digital-Versatile-Disk）數(shù)字多用光盤，以MPEG-2為標(biāo)準(zhǔn)，擁有4.7Gde大容量，可儲(chǔ)存133分鐘de高分辨率全動(dòng)態(tài)影視節(jié)目，包括個(gè)杜比數(shù)字環(huán)繞聲音軌道，圖像和聲音質(zhì)量是VCD所不及de.

　　DVD+RW：可反復(fù)寫入deDVD光盤，又叫DVD-E.由HP、SONY、Phioips共同發(fā)布de一個(gè)標(biāo)準(zhǔn).容量為3.0GB，采用CAV技術(shù)來(lái)獲得較高de數(shù)據(jù)傳輸率

　　PD光驅(qū)：（PowerDisk2）是Panasonic公司將可寫光驅(qū)和CD-ROM合二為一，有LF-1000（外置式）和LF-1004（內(nèi)置式）兩種類型.容量為65OMB，數(shù)據(jù)傳輸率達(dá)5.0MB/s，采用微型激光頭和精密機(jī)電伺服系統(tǒng).

　　ABS平衡系統(tǒng)：（Auto-Balance-System）是DIAMOND-DATA最新推出de三菱鉆石系列高倍速光驅(qū)所配帶de，是在光驅(qū)托盤下安上一具鋼銖軸承，光驅(qū)震動(dòng)時(shí)，鋼珠在離心力de作用下到質(zhì)量輕de部分，起到平衡作用，加大讀盤能力.

　　部分安裝：（Partial-Installation）在安裝軟體時(shí)，只安裝一些必須或基本de檔案，當(dāng)執(zhí)行特殊de功能時(shí)，再讀取或執(zhí)行光盤中de檔案，這樣系統(tǒng)便可配合一具有高速度、高效能和高穩(wěn)定de光驅(qū)，達(dá)到最佳效能

　　DVD-RAM：DVD論壇協(xié)會(huì)確立和公布de一項(xiàng)商務(wù)可讀寫DVD標(biāo)準(zhǔn).它容量大而價(jià)格低、速度不慢且兼容性高.

計(jì)算機(jī)術(shù)語(yǔ)名詞解釋第三講：內(nèi)存術(shù)語(yǔ)解釋3

　　一、CPU術(shù)語(yǔ)解釋

　　3DNow!： (3D no waiting)AMD公司開發(fā)deSIMD指令集，可以增強(qiáng)浮點(diǎn)和多媒體運(yùn)算de速度，它de指令數(shù)為21條.

　　ALU： (Arithmetic Logic Unit，算術(shù)邏輯單元)在處理器之中用于計(jì)算de那一部分，與其同級(jí)de有數(shù)據(jù)傳輸單元和分支單元.

　　BGA：(Ball Grid Array，球狀矩陣排列)一種芯片封裝形式，例：82443BX.

　　BHT： (branch prediction table，分支預(yù)測(cè)表)處理器用于決定分支行動(dòng)方向de數(shù)值表.

　　BPU：(Branch Processing Unit，分支處理單元)CPU中用來(lái)做分支處理de那一個(gè)區(qū)域.

　　Brach Pediction： （分支預(yù)測(cè)）從P5時(shí)代開始de一種先進(jìn)de數(shù)據(jù)處理方法，由CPU來(lái)判斷程序分支de進(jìn)行方向，能夠更快運(yùn)算速度.

　　CMOS： （Complementary metal Oxide Semiconductor，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）它是一類特殊de芯片，最常見de用途是主板deBIOS（Basic Input/Output System，基本輸入/輸出系統(tǒng)）.

　　CISC： (Complex Instruction Set Computing，復(fù)雜指令集計(jì)算機(jī))相對(duì)于RISC而言，它de指令位數(shù)較長(zhǎng)，所以稱為復(fù)雜指令.如：x86指令長(zhǎng)度為87位.

　　COB： (Cache on board，板上集成緩存)在處理器卡上集成de緩存，通常指de是二級(jí)緩存，例：奔騰II

　　COD： (Cache on Die，芯片內(nèi)集成緩存)在處理器芯片內(nèi)部集成de緩存，通常指de是二級(jí)緩存，例：PGA賽揚(yáng)370

　　CPGA： (Ceramic Pin Grid Array，陶瓷針型柵格陣列)一種芯片封裝形式.

　　CPU： (Center Processing Unit，中央處理器)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)de大腦，用于控制和管理整個(gè)機(jī)器de運(yùn)作，并執(zhí)行計(jì)算任務(wù).

　　Data Forwarding： （數(shù)據(jù)前送）CPU在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，把一個(gè)單元de輸出值內(nèi)容拷貝到另一個(gè)單元de輸入值中.

　　Decode： （指令解碼）由于X86指令de長(zhǎng)度不一致，必須用一個(gè)單元進(jìn)行“翻譯”，真正de內(nèi)核按翻譯后要求來(lái)工作.

　　EC： (Embedded Controller，嵌入式控制器)在一組特定系統(tǒng)中，新增到固定位置，完成一定任務(wù)de控制裝置就稱為嵌入式控制器.

　　Embedded Chips： (嵌入式)一種特殊用途deCPU，通常放在非計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，如：家用電器.

　　EPIC： (explicitly parallel instruction code，并行指令代碼)英特爾de64位芯片架構(gòu)，本身不能執(zhí)行x86指令，但能通過譯碼器來(lái)兼容舊有dex86指令，只是運(yùn)算速度比真正de32位芯片有所下降.

　　FADD： （Floationg Point Addition，浮點(diǎn)加）FCPGA(Flip Chip Pin Grid Array，反轉(zhuǎn)芯片針腳柵格陣列)一種芯片封裝形式，例：奔騰III 370.

　　FDIV： （Floationg Point Divide，浮點(diǎn)除）FEMMS（Fast Entry/Exit Multimedia State，快速進(jìn)入/退出多媒體狀態(tài)） 在多能奔騰之中，MMX和浮點(diǎn)單元是不能同時(shí)運(yùn)行de.新de芯片加快了兩者之間de切換，這就是 FEMMS.

　　FFT： （fast Fourier transform，快速熱歐姆轉(zhuǎn)換）一種復(fù)雜de算法，可以測(cè)試CPUde浮點(diǎn)能力.

　　FID： (FID：Frequency identify，頻率鑒別號(hào)碼)奔騰III通過ID號(hào)來(lái)檢查CPU頻率de方法，能夠有效防止Remark.

　　FIFO： (First Input First Output，先入先出隊(duì)列)這是一種傳統(tǒng)de按序執(zhí)行方法，先進(jìn)入de指令先完成并引退，跟著才執(zhí)行第二條指令.

　　FLOP： (Floating Point Operations Per Second，浮點(diǎn)操作/秒)計(jì)算CPU浮點(diǎn)能力de一個(gè)單位.

　　FMUL： (Floationg Point Multiplication，浮點(diǎn)乘）

　　FPU： (Float Point Unit，浮點(diǎn)運(yùn)算單元)FPU是專用于浮點(diǎn)運(yùn)算de處理器，以前deFPU是一種單獨(dú)芯片，在486之后，英特爾把FPU與集成在CPU之內(nèi).

　　FSUB： (Floationg Point Subtraction，浮點(diǎn)減）

　　HL-PBGA： （表面黏著、高耐熱、輕薄型塑膠球狀矩陣封裝）一種芯片封裝形式.

　　IA： (Intel Architecture，英特爾架構(gòu))英特爾公司開發(fā)dex86芯片結(jié)構(gòu).

　　ID： （identify，鑒別號(hào)碼）用于判斷不同芯片de識(shí)別代碼.

　　IMM： （Intel Mobile Module,英特爾移動(dòng)模塊）英特爾開發(fā)用于筆記本電腦de處理器模塊，集成了CPU和其它控制設(shè)備.

　　Instructions Cache： （指令緩存）由于系統(tǒng)主內(nèi)存de速度較慢，當(dāng)CPU讀取指令de時(shí)候，會(huì)導(dǎo)致CPU停下來(lái)等待內(nèi)存?zhèn)鬏攄e情況.指令緩存就是在主內(nèi)存與CPU之間增加一個(gè)快速de存儲(chǔ)區(qū)域，即使CPU未要求到指令，主內(nèi)存也會(huì)自動(dòng)把指令預(yù)先送到指令緩存，當(dāng)CPU要求到指令時(shí)，可以直接從指令緩存中讀出，無(wú)須再存取主內(nèi)存，減少了CPUde等待時(shí)間.

　　Instruction Coloring： （指令分類）一種制造預(yù)測(cè)執(zhí)行指令de技術(shù)，一旦預(yù)測(cè)判斷被相應(yīng)de指令決定以后，處理器就會(huì)相同de指令處理同類de判斷.

　　Instruction Issue： （指令發(fā)送）它是第一個(gè)CPU管道，用于接收內(nèi)存送到de指令，并把它發(fā)到執(zhí)行單元.IPC（Instructions Per Clock Cycle，指令/時(shí)鐘周期）表示在一個(gè)時(shí)鐘周期用可以完成de指令數(shù)目.

　　KNI： (Katmai New Instructions，Katmai新指令集，即SSE) Latency（潛伏期）從字面上了解其含義是比較困難de，實(shí)際上，它表示完全執(zhí)行一個(gè)指令所需de時(shí)鐘周期，潛伏期越少越好.嚴(yán)格來(lái)說，潛伏期包括一個(gè)指令從接收到發(fā)送de全過程.現(xiàn)今de大多數(shù)x86指令都需要約5個(gè)時(shí)鐘周期，但這些周期之中有部分是與其它指令交迭在一起de（并行處理），因此 CPU制造商宣傳de潛伏期要比實(shí)際de時(shí)間長(zhǎng).

　　LDT： (Lightning Data Transport，閃電數(shù)據(jù)傳輸總線)K8采用de新型數(shù)據(jù)總線，外頻在200MHz以上.

　　MMX： （MultiMedia Extensions，多媒體擴(kuò)展指令集）英特爾開發(fā)de最早期SIMD指令集，可以增強(qiáng)浮點(diǎn)和多媒體運(yùn)算de速度.

　　MFLOPS： (Million Floationg Point/Second，每秒百萬(wàn)個(gè)浮點(diǎn)操作)計(jì)算CPU浮點(diǎn)能力de一個(gè)單位，以百萬(wàn)條指令為基準(zhǔn).

　　NI： （Non－Intel，非英特爾架構(gòu)）

　　除了英特爾之外，還有許多其它生產(chǎn)兼容x86體系de廠商，由于專利權(quán)de問題，它們de產(chǎn)品和英特爾系不一樣，但仍然能運(yùn)行x86指令.

　　OLGA： (Organic Land Grid Array，基板柵格陣列)一種芯片封裝形式.

　　OoO： (Out of Order，亂序執(zhí)行)Post-RISC芯片de特性之一，能夠不按照程序提供de順序完成計(jì)算任務(wù)，是一種加快處理器運(yùn)算速度de架構(gòu).（電腦知識(shí)）

　　PGA： （Pin-Grid Array，引腳網(wǎng)格陣列）一種芯片封裝形式，缺點(diǎn)是耗電量大.

　　Post-RISC： 一種新型de處理器架構(gòu)，它de內(nèi)核是RISC，而外圍是CISC，結(jié)合了兩種架構(gòu)de優(yōu)點(diǎn)，擁有預(yù)測(cè)執(zhí)行、處理器重命名等先進(jìn)特性，如：Athlon.

　　PSN： (Processor Serial numbers，處理器序列號(hào))標(biāo)識(shí)處理器特性de一組號(hào)碼，包括主頻、生產(chǎn)日期、生產(chǎn)編號(hào)等.

　　PIB： （Processor In a Box，盒裝處理器）CPU廠商正式在市面上發(fā)售de產(chǎn)品，通常要比OEM（Original Equipment Manufacturer，原始設(shè)備制造商）廠商流通到市場(chǎng)de散裝芯片貴，但只有PIB擁有廠商正式de保修權(quán)利.

　　PPGA： (Plastic Pin Grid Array，塑膠針狀矩陣封裝)一種芯片封裝形式，缺點(diǎn)是耗電量大.

　　PQFP： (Plastic Quad Flat Package，塑料方塊平面封裝)一種芯片封裝形式.

　　RAW： (Read after Write，寫后讀)這是CPU亂序執(zhí)行造成de錯(cuò)誤，即在必要條件未成立之前，已經(jīng)先寫下結(jié)論，導(dǎo)致最終結(jié)果出錯(cuò).

　　Register Contention： （搶占寄存器）當(dāng)寄存器de上一個(gè)寫回任務(wù)未完成時(shí)，另一個(gè)指令征用此寄存器時(shí)出現(xiàn)de沖突.

　　Register Pressure： （寄存器不足）軟件算法執(zhí)行時(shí)所需de寄存器數(shù)目受到限制.對(duì)于X86處理器來(lái)

　　說，寄存器不足已經(jīng)成為了它de最大特點(diǎn)，因此AMD才想在下一代芯片K8之中，增加寄存器de數(shù)量.

　　Register Renaming： （寄存器重命名）把一個(gè)指令de輸出值重新定位到一個(gè)任意de內(nèi)部寄存器.在x86

　　架構(gòu)中，這類情況是常常出現(xiàn)de，如：一個(gè)fld或fxch或mov指令需要同一個(gè)目標(biāo)寄存器時(shí)，就要?jiǎng)佑玫郊拇嫫髦孛?

　　Remark： （芯片頻率重標(biāo)識(shí)）芯片制造商為了方便自己de產(chǎn)品定級(jí)，把大部分CPU都設(shè)置為可以自由調(diào)節(jié)倍頻和外頻，它在同一批CPU中選出好de定為較高de一級(jí)，性能不足de定位較低de一級(jí)，這些都在工廠內(nèi)部完成，是合法de頻率定位方法.但出廠以后，經(jīng)銷商把低檔deCPU超頻后，貼上新de標(biāo)簽，當(dāng)成高檔CPU賣de非法頻率定位則稱為Remark.因?yàn)樯a(chǎn)商有權(quán)力改變自己de產(chǎn)品，而經(jīng)銷商這樣做就是侵犯版權(quán)，不要以為只有軟件才有版權(quán)，硬件也有版權(quán)呢.

　　Resource contention： （資源沖突）當(dāng)一個(gè)指令需要寄存器或管道時(shí)，它們被其它指令所用，處理器不能即時(shí)作出回應(yīng)，這就是資源沖突.

　　Retirement： （指令引退）當(dāng)處理器執(zhí)行過一條指令后，自動(dòng)把它從調(diào)度進(jìn)程中去掉.如果

　　僅是指令完成，但仍留在調(diào)度進(jìn)程中，亦不算是指令引退.

　　RISC： (Reduced Instruction Set Computing，精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī))一種指令長(zhǎng)度較短de計(jì)算機(jī)，其運(yùn)行速度比CISC要快.

　　SEC： （Single Edge Connector，單邊連接器）一種處理器de模塊，如：奔騰II.

　　SIMD： (Single Instruction Multiple Data，單指令多數(shù)據(jù)流)能夠復(fù)制多個(gè)操作，并把它們打包在大型寄存器de一組指令集，例：3DNow!、SSE.

　　SiO2F： (Fluorided Silicon Oxide，二氧氟化硅)制造電子元件才需要用到de材料.

　　SOI： （Silicon on insulator，絕緣體硅片）SONC(System on a chip,系統(tǒng)集成芯片)在一個(gè)處理器中集成多種功能，如：Cyrix MediaGX.

　　SPEC： (System Performance eva luation Corporation，系統(tǒng)性能評(píng)估測(cè)試)測(cè)試系統(tǒng)總體性能deBenchmark.

　　Speculative execution： （預(yù)測(cè)執(zhí)行）一個(gè)用于執(zhí)行未明指令流de區(qū)域.當(dāng)分支指令發(fā)出之后，傳統(tǒng)處理器在未收到正確de反饋信息之前，是不能做任何工作de，而具有預(yù)測(cè)執(zhí)行能力 de新型處理器，可以估計(jì)即將執(zhí)行de指令，采用預(yù)先計(jì)算de方法來(lái)加快整個(gè)處理過程.

　　SQRT： （Square Root Calculations，平方根計(jì)算）一種復(fù)雜de運(yùn)算，可以考驗(yàn)CPUde浮點(diǎn)能力.

　　SSE： (Streaming SIMD Extensions，單一指令多數(shù)據(jù)流擴(kuò)展)英特爾開發(fā)de第二代SIMD指令集，有70條指令，可以增強(qiáng)浮點(diǎn)和多媒體運(yùn)算de速度.

　　Superscalar： （超標(biāo)量體系結(jié)構(gòu)）在同一時(shí)鐘周期可以執(zhí)行多條指令流de處理器架構(gòu).

　　TCP： （Tape Carrier Package，薄膜封裝）一種芯片封裝形式，特點(diǎn)是發(fā)熱小.

　　Throughput： （吞吐量）它包括兩種含義：

　　第一種：執(zhí)行一條指令所需de最少時(shí)鐘周期數(shù)，越少越好.執(zhí)行de速度越快，下一條指令和它搶占資源de機(jī)率也越少.

　　第二種：在一定時(shí)間內(nèi)可以執(zhí)行最多指令數(shù)，當(dāng)然是越大越好.

　　TLBs： (Translate Look side Buffers，翻譯旁視緩沖器)用于存儲(chǔ)指令和輸入/輸出數(shù)值de區(qū)域.

　　VALU： (Vector Arithmetic Logic Unit，向量算術(shù)邏輯單元)在處理器中用于向量運(yùn)算de部分.

　　VLIW： (Very Long Instruction Word，超長(zhǎng)指令字)一種非常長(zhǎng)de指令組合，它把許多條指令連在一起，增加了運(yùn)算de速度.

　　VPU： (Vector Permutate Unit，向量排列單元）在處理器中用于排列數(shù)據(jù)de部分.

計(jì)算機(jī)術(shù)語(yǔ)名詞解釋第三講：內(nèi)存術(shù)語(yǔ)解釋4

　　三、內(nèi)存術(shù)語(yǔ)解釋

　　BANK：BANK是指內(nèi)存插槽de計(jì)算單位(也有人稱為記憶庫(kù))，它是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)與內(nèi)存間資料匯流de基本運(yùn)作單位.

　　內(nèi)存de速度：內(nèi)存de速度是以每筆CPU與內(nèi)存間數(shù)據(jù)處理耗費(fèi)de時(shí)間來(lái)計(jì)算，為總線循環(huán)(bus cycle)以奈秒(ns)為單位.

　　內(nèi)存模塊 (Memory Module)：提到內(nèi)存模塊是指一個(gè)印刷電路板表面上有鑲嵌數(shù)個(gè)記憶體芯片chips，而這內(nèi)存芯片通常是DRAM芯片，但近來(lái)系統(tǒng)設(shè)計(jì)也有使用快取隱藏式芯片鑲嵌在內(nèi)存模塊上內(nèi)存模塊是安裝在PC de主機(jī)板上de專用插槽(Slot)上鑲嵌在Module上DRAM芯片(chips)de數(shù)量和個(gè)別芯片(chips)de容量，是決定內(nèi)存模塊de 設(shè)計(jì)de主要因素.

　　SIMM (Single In-line Memory Module)：電路板上面焊有數(shù)目不等de記憶IC，可分為以下2種型態(tài)：

　　72PIN：72腳位de單面內(nèi)存模塊是用來(lái)支持32位de數(shù)據(jù)處理量.

　　30PIN：30腳位de單面內(nèi)存模塊是用來(lái)支持8位de數(shù)據(jù)處理量.

　　DIMM (Dual In-line Memory Module)：（168PIN） 用來(lái)支持64位或是更寬de總線，而且只用3.3伏特de電壓，通常用在64位de桌上型計(jì)算機(jī)或是服務(wù)器.

　　RIMM：RIMM模塊是下一世代de內(nèi)存模塊主要規(guī)格之一，它是Intel公司于年推出芯片組所支持de內(nèi)存模塊，其頻寬高達(dá)1.6Gbyte/sec.

　　SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) （144PIN）： 這是一種改良型deDIMM模塊，比一般deDIMM模塊來(lái)得小，應(yīng)用于筆記型計(jì)算機(jī)、列表機(jī)、傳真機(jī)或是各種終端機(jī)等.

　　PLL： 為鎖相回路,用來(lái)統(tǒng)一整合時(shí)脈訊號(hào),使內(nèi)存能正確de存取資料.

　　Rambus 內(nèi)存模塊 （184PIN）： 采用Direct RDRAMde內(nèi)存模塊，稱之為RIMM模塊，該模塊有184pin腳，資料de輸出方式為串行，與現(xiàn)行使用deDIMM模塊168pin，并列輸出de架構(gòu)有很大de差異.

　　6層板和4層板(6 layers V.S. 4 layers)： 指de是電路印刷板PCB Printed Circuit Board用6層或4層de玻璃纖維做成，通常SDRAM會(huì)使用6層板，雖然會(huì)增加PCBde成本但卻可免除噪聲de干擾，而4層板雖可降低PCBde成本但效能較差.

　　Register：是緩存器de意思,其功能是能夠在高速下達(dá)到同步de目de.

　　SPD：為Serial Presence Detect de縮寫，它是燒錄在EEPROM內(nèi)de碼，以往開機(jī)時(shí)BIOS必須偵測(cè)memory，但有了SPD就不必再去作偵測(cè)de動(dòng)作，而由BIOS直接讀取 SPD取得內(nèi)存de相關(guān)資料.

　　Parity和ECCde比較：同位檢查碼(parity check codes)被廣泛地使用在偵錯(cuò)碼(error detection codes)上，他們?cè)黾右粋€(gè)檢查位給每個(gè)資料de字元(或字節(jié))，并且能夠偵測(cè)到一個(gè)字符中所有奇(偶)同位de錯(cuò)誤，但Parity有一個(gè)缺點(diǎn)，當(dāng)計(jì)算機(jī)查到某個(gè)Byte有錯(cuò)誤時(shí)，并不能確定錯(cuò)誤在哪一個(gè)位，也就無(wú)法修正錯(cuò)誤.

　　緩沖器和無(wú)緩沖器（Buffer V.S. Unbuffer）：有緩沖器deDIMM 是用來(lái)改善時(shí)序(timing)問題de一種方法無(wú)緩沖器deDIMM雖然可被設(shè)計(jì)用于系統(tǒng)上，但它只能支援四條DIMM.若將無(wú)緩沖器deDIMM用于速度為100Mhzde主機(jī)

計(jì)算機(jī)術(shù)語(yǔ)名詞解釋第三講：內(nèi)存術(shù)語(yǔ)解釋4篇(內(nèi)存的名詞解釋)相關(guān)文章：

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